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allbet开户:台版晶片法 研发经费门槛 拟订50~100亿

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产创条例第10条之2三大门槛与外界意见

台版晶片法案的产创条例10条之2已完成三读,研发费用、研发密度、有效税率订为适用优惠减税的三大必备门槛,其中研发费用更连动研发密度。据透露,研发经费门槛将订在50亿至100亿元,研发密度则会落在5%至7%之间。

据了解,财经两部正为此角力,也对定义及门槛伤透脑筋,深怕门槛订太高、变成台积电独享,又怕门槛订得太低、变成家家有奖,两者都失去鼓励意义。加上,财长未补实,督导赋税的次长李庆华及赋税署长许慈美二人13日双双届龄退休,财经两部无法快速展开研商。经济部盼在3~4月内完成子法订定,尽快公告上路。

知情官员透露,虽然研发费用、研发密度尚未定案,但先前财政部拟订在100亿,如此只有台积电、联发科、联咏等6至7家业者符合条件。经济部极力争取后,财政部同意让步,初步敲定研发费用门槛将订在50亿至100亿元间,倘若门槛降低至50亿元,包括联电、日月光、南亚科、群联、瑞昱等近15家业者都可进安全名单。

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第一个「研发费用」恐刷掉9成科技业者,而第二门槛「研发密度」是连动的,官员预期,恐怕再刷掉部分业者。「研发密度」是指研发支出占营收净额之比率,目前制造业平均为3.2%,原本财政部有意订在8%左右,但台积电合并营收破2兆,未来几年还会不断长胖,其研发密度约达7~8%,一旦营收成长恐难达研发密度门槛,因此两部会初步拟将研发密度比率订在5%至7%。

至于有效税率门槛,2023年应达12%,2024年审酌OECD全球企业最低税负制情形调整缓冲一年,2025年起一律调整至15%。

外界担心,产创10条之2会变成半导体产业或少数业者独享之法案。经济部强调,适用要件规模与相关名词定义在子法订定,也会参考国内外产业发展状况、主要上市柜公司研发经费及产业研发密度,并蒐集产业界意见及听取产官学研专家意见来订定。

产创条例第10条之2符合适用要件者,可享有前瞻创新研发投资抵减,当年度抵减率为25%;购置用于先进制程之设备投资抵减,当年度抵减率为5%,且支出金额无上限;二者合计抵减税额不得超过当年度应纳营所税额50%。

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